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SE80130G

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:SINO-IC(光宇睿芯)
型号:
编号:
封装:TO-263
海关编码:EAR99
参数描述:N沟道 80V 130A
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
Continuous drain current
130A
Transistor polarity
N沟道
Rds On
60A 0.0043Ω 10V
VDS
80V
VGS
4.5V 0.00025A
Package
TO-263
Pd-Power Dissipation
160W
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
80V
连续漏极电流(Id)
130A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
4.3mΩ@10V,60A
功率(Pd)
160W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
4.5V@250uA
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
5.21199
10+
4.63323
50+
4.33839
100+
4.04355
500+
3.86883
1000+
3.78147
数量(递增量:1):
库存:
100
最小包装量:
50 (圆盘)
交付周期:
2-3 工作日
共:
5.22
C002155488 SE80130G 由 SINO-IC(光宇睿芯) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002155488 SE80130G 参考价格 ¥5.212,实时库存 100。TO-263 Continuous drain current: 130A, Transistor polarity: N沟道, Rds On: 60A 0.0043Ω 10V, VDS: 80V, VGS: 4.5V 0.00025A, Package: TO-263, Pd-Power Dissipation: 160W, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 80V, 连续漏极电流(Id): 130A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4.3mΩ@10V,60A, 功率(Pd): 160W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 4.5V@250uA。你可以下载 SE80130G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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