产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
规格
Continuous drain current
130A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
4.3mΩ@10V,60A
阈值电压(Vgs(th)@Id)
4.5V@250uA
C002155488 SE80130G 由 SINO-IC(光宇睿芯) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002155488 SE80130G 参考价格 ¥5.212,实时库存 100。TO-263 Continuous drain current: 130A, Transistor polarity: N沟道, Rds On: 60A 0.0043Ω 10V, VDS: 80V, VGS: 4.5V 0.00025A, Package: TO-263, Pd-Power Dissipation: 160W, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 80V, 连续漏极电流(Id): 130A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4.3mΩ@10V,60A, 功率(Pd): 160W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 4.5V@250uA。你可以下载 SE80130G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。