AGW60N65

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产商:	ANHI(安海)
型号:	AGW60N65
编号:	C002161168
封装:	TO-247
海关编码:	EAR99
参数描述:	TO-247
数据手册:	数据手册

规格

Category

IGBT管

IGBT类型

FS(场截止)

集射极击穿电压(Vces)

650V

集电极电流(Ic)

60A

功率(Pd)

375W

集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge)

1.4V

栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)

5.45V

栅极电荷(Qg@Ic,Vge)

254nC

输入电容(Cies@Vce)

6.92nF

开启延迟时间(Td(on))

125ns

关断延迟时间(Td(off))

540ns

导通损耗(Eon)

2.38mJ

关断损耗(Eoff)

2.13mJ

反向恢复时间(Trr)

121ns

工作温度

-55℃~+175℃

店铺:

1001

入驻

合作库存

数量[pcs]

单价[CNY/pcs]

1+

16.19541

10+

13.96773

25+

12.56997

100+

11.15037

数量(递增量:1):

库存:

1,525

+-

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最小包装量:

25 (管)

交付周期:

2-3 工作日

共:

￥16.20

C002161168 AGW60N65 由 ANHI(安海) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-IGBT管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002161168 AGW60N65 参考价格 ￥16.1954，实时库存 1525。TO-247 IGBT类型: FS(场截止), 集射极击穿电压(Vces): 650V, 集电极电流(Ic): 60A, 功率(Pd): 375W, 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge): 1.4V, 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic): 5.45V, 栅极电荷(Qg@Ic,Vge): 254nC, 输入电容(Cies@Vce): 6.92nF, 开启延迟时间(Td(on)): 125ns, 关断延迟时间(Td(off)): 540ns, 导通损耗(Eon): 2.38mJ, 关断损耗(Eoff): 2.13mJ, 反向恢复时间(Trr): 121ns, 工作温度: -55℃~+175℃。你可以下载 AGW60N65 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。