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2SK3018

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:JSCJ(长晶)
型号:
编号:
封装:SOT-23
海关编码:EAR99
参数描述:SOT-23 30V 5Ω(Typ)@10V 0.1A
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
Package
SOT-23
Pd-Power Dissipation
0.3W
Operating Temperature Range
-55℃~+150℃
Termination type
贴片
Qualification level
-
Continuous drain current
100mA
On-Resistance
8Ω@4V
Vdss
30V
Vgs
20V
Types
N沟道
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
100mA
功率(Pd)
350mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
8Ω@4V,10mA
阈值电压(Vgs(th)@Id)
1.5V@100uA
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
20+
0.126231
200+
0.11843
500+
0.11064
1000+
0.10285
3000+
0.09896
6000+
0.0935
数量(递增量:1):
库存:
114,000
最小包装量:
3000 (圆盘)
交付周期:
2-4 工作日
共:
2.53
C002161728 2SK3018 由 JSCJ(长晶) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002161728 2SK3018 参考价格 ¥0.1262,实时库存 114000。SOT-23 Package: SOT-23, Pd-Power Dissipation: 0.3W, Operating Temperature Range: -55℃~+150℃, Termination type: 贴片, Qualification level: -, Continuous drain current: 100mA, On-Resistance: 8Ω@4V, Vdss: 30V, Vgs: 20V, Types: N沟道, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 30V, 连续漏极电流(Id): 100mA, 功率(Pd): 350mW, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 8Ω@4V,10mA, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.5V@100uA。你可以下载 2SK3018 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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