登录
logo
我的购物车

BSS123-TP

img
产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:MCC(美微科)
型号:
编号:
封装:SOT-23
海关编码:EAR99
参数描述:表面贴装型 N 通道 100V 170mA 350mW SOT-23
数据手册:
数据手册
规格
Category
RFFETMOSFET
Continuous drain current
0.17A
Termination type
SMD/SMT
Operating Temperature Range
-55℃~150℃
Transistor polarity
MOSFET
VDS
100V
Pd-Power Dissipation
0.35W
Qg
1.4 nC
Circuit Branch Number
1Channel
VGS
10V
Rds On
Package
SOT-23-3
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
6Ω@170mA,10V
功率(Pd)
350mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)
2.8V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
2nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
60pF@25V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
3000+
0.07868
数量(递增量:3000):
库存:
264,000
最小包装量:
3000
交付周期:
1-3 工作日
共:
236.04
C002168436 BSS123-TP 由 MCC(美微科) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002168436 BSS123-TP 参考价格 ¥0.0787,实时库存 264000。SOT-23 Continuous drain current: 0.17A, Termination type: SMD/SMT, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, Transistor polarity: MOSFET, VDS: 100V, Pd-Power Dissipation: 0.35W, Qg: 1.4 nC, Circuit Branch Number: 1Channel, VGS: 10V, Rds On: 6Ω, Package: SOT-23-3, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 100V, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 6Ω@170mA,10V, 功率(Pd): 350mW, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.8V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 2nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 60pF@25V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 BSS123-TP 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
数据手册
RFQ
登录显示更多福利!