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SE01P13K

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:SINO-IC(光宇睿芯)
型号:
编号:
封装:TO-252-2(DPAK)
海关编码:EAR99
参数描述:
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
VDS
100V
Continuous drain current
13A
Rds On
16A 10V 0.2Ω
Transistor polarity
P沟道
Pd-Power Dissipation
40W
VGS
3V 0.00025A
Package
TO-252-2(DPAK)
类型
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
13A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
110mΩ@10V,16A
功率(Pd)
40W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
3V@250uA
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
5+
2.095131
50+
1.69153
150+
1.51856
500+
1.30278
2500+
1.20669
5000+
1.14903
数量(递增量:5):
库存:
10,000
最小包装量:
2500 (圆盘)
交付周期:
2-3 工作日
共:
10.48
C002181729 SE01P13K 由 SINO-IC(光宇睿芯) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002181729 SE01P13K 参考价格 ¥2.0951,实时库存 10000。TO-252-2(DPAK) VDS: 100V, Continuous drain current: 13A, Rds On: 16A 10V 0.2Ω, Transistor polarity: P沟道, Pd-Power Dissipation: 40W, VGS: 3V 0.00025A, Package: TO-252-2(DPAK), 类型: 1个P沟道, 漏源电压(Vdss): 100V, 连续漏极电流(Id): 13A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 110mΩ@10V,16A, 功率(Pd): 40W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 3V@250uA。你可以下载 SE01P13K 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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