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AOD607-HXY

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Huaxuanyang(华轩阳)
型号:
编号:
封装:TO-252-4L
海关编码:EAR99
参数描述:TO-252-4L
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
类型
1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
20A
功率(Pd)
20.8W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
30mΩ@10V,10A;35mΩ@10V,8A
阈值电压(Vgs(th)@Id)
2.5V@250uA
输入电容(Ciss@Vds)
930pF@15V;416pF@15V
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
5+
0.94555
50+
0.83089
150+
0.78175
500+
0.66861
2500+
0.64131
5000+
0.62493
数量(递增量:5):
库存:
10,000
最小包装量:
2500 (圆盘)
交付周期:
2-3 工作日
共:
4.73
C002185477 AOD607-HXY 由 Huaxuanyang(华轩阳) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002185477 AOD607-HXY 参考价格 ¥0.9456,实时库存 10000。TO-252-4L 类型: 1个N沟道+1个P沟道, 漏源电压(Vdss): 30V, 连续漏极电流(Id): 20A, 功率(Pd): 20.8W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 30mΩ@10V,10A;35mΩ@10V,8A, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA, 输入电容(Ciss@Vds): 930pF@15V;416pF@15V。你可以下载 AOD607-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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