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KYMNT33

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:KY(韩景元)
型号:
编号:
封装:DFNWB-6-EP(2x2)
海关编码:EAR99
参数描述:DFNWB-6-EP(2x2)
数据手册:
规格
Category
MOSFET
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
800mA
功率(Pd)
700mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
600mΩ@4.5V,0.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)
1.1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
1.15nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)
61pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)
10pF@10V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
10+
0.19039
100+
0.15406
300+
0.13591
3000+
0.11729
6000+
0.10639
9000+
0.10094
数量(递增量:10):
库存:
15,000
最小包装量:
3000 (圆盘)
交付周期:
2-3 工作日
共:
1.91

C002202141 KYMNT33 由 KY(韩景元) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002202141 KYMNT33 参考价格 ¥0.1904,实时库存 15000。DFNWB-6-EP(2x2) 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 20V, 连续漏极电流(Id): 800mA, 功率(Pd): 700mW, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 600mΩ@4.5V,0.5A, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.1V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 1.15nC@4.5V, 输入电容(Ciss@Vds): 61pF@10V, 反向传输电容(Crss@Vds): 10pF@10V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 KYMNT33 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。

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