CI90N120SM

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产商:	Tokmas(托克马斯)
型号:	CI90N120SM
编号:	C002209615
封装:	TO-247-3
海关编码:	EAR99
参数描述:	TO-247-3
数据手册:	数据手册

规格

Category

MOSFET

封装类型

单管

沟道类型

1个N沟道

Vds-漏源击穿电压

1200V

Id-漏极电流(25℃)

90A

Pd-功耗

463W

Vgs(th)-漏源阈值电压

2.5V

RDS(on)-导通电阻(20V)

27mΩ

Qg-栅极电荷

164nC

Ciss-输入电容

4700pF

Crss-反向传输电容

42.8pF

工作温度

-55℃~+150℃

Coss-输出电容

231pF

店铺:

1001

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数量[pcs]

单价[CNY/pcs]

1+

108.83082

10+

104.59386

30+

97.09182

90+

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C002209615 CI90N120SM 由 Tokmas(托克马斯) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002209615 CI90N120SM 参考价格 ￥108.8308，实时库存 270。TO-247-3 封装类型: 单管, 沟道类型: 1个N沟道, Vds-漏源击穿电压: 1200V, Id-漏极电流(25℃): 90A, Pd-功耗: 463W, Vgs(th)-漏源阈值电压: 2.5V, RDS(on)-导通电阻(20V): 27mΩ, Qg-栅极电荷: 164nC, Ciss-输入电容: 4700pF, Crss-反向传输电容: 42.8pF, 工作温度: -55℃~+150℃, Coss-输出电容: 231pF。你可以下载 CI90N120SM 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。