1N60L-TN3-R

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产商:	UTC(友顺)
型号:	1N60L-TN3-R
编号:	C002249901
封装:	TO-252-2(DPAK)
海关编码:	EAR99
参数描述:	N沟道,600V,1.2A
数据手册:	数据手册

规格

Category

MOSFET

VGS

4V 0.00025A

VDS

600V

Package

TO-252-2(DPAK)

Pd-Power Dissipation

28W

Continuous drain current

1.2A

Transistor polarity

N沟道

Rds On

0.6A 11.5Ω 10V

类型

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

600V

连续漏极电流(Id)

1.2A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

11.5Ω@10V,600mA

功率(Pd)

28W

阈值电压(Vgs(th)@Id)

4V@250uA

店铺:

1001

入驻

合作库存

数量[pcs]

单价[CNY/pcs]

5+

1.03295

50+

0.90683

150+

0.85277

500+

0.78528

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C002249901 1N60L-TN3-R 由 UTC(友顺) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002249901 1N60L-TN3-R 参考价格 ￥1.033，实时库存 7500。TO-252-2(DPAK) VGS: 4V 0.00025A, VDS: 600V, Package: TO-252-2(DPAK), Pd-Power Dissipation: 28W, Continuous drain current: 1.2A, Transistor polarity: N沟道, Rds On: 0.6A 11.5Ω 10V, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 600V, 连续漏极电流(Id): 1.2A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 11.5Ω@10V,600mA, 功率(Pd): 28W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 4V@250uA。你可以下载 1N60L-TN3-R 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。