CRSS046N08N

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产商:	CRMICRO(华润微)
型号:	CRSS046N08N
编号:	C002250115
封装:	TO-263
海关编码:	EAR99
参数描述:	N沟道
数据手册:	数据手册

规格

Category

MOSFET

Transistor polarity

N沟道

Continuous drain current

120A

VDS

85V

Pd-Power Dissipation

189W

VGS

4V 0.00025A

Package

TO-263

Rds On

10V 50A 0.0046Ω

类型

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

85V

连续漏极电流(Id)

120A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

4.6mΩ@10V,50A

功率(Pd)

189W

阈值电压(Vgs(th)@Id)

4V@250uA

店铺:

1001

入驻

合作库存

数量[pcs]

单价[CNY/pcs]

1+

4.09605

10+

3.69201

30+

3.48453

100+

3.28797

500+

2.72013

1000+

2.66553

数量(递增量:1):

库存:

69

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C002250115 CRSS046N08N 由 CRMICRO(华润微) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002250115 CRSS046N08N 参考价格 ￥4.0961，实时库存 69。TO-263 Transistor polarity: N沟道, Continuous drain current: 120A, VDS: 85V, Pd-Power Dissipation: 189W, VGS: 4V 0.00025A, Package: TO-263, Rds On: 10V 50A 0.0046Ω, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 85V, 连续漏极电流(Id): 120A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4.6mΩ@10V,50A, 功率(Pd): 189W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 4V@250uA。你可以下载 CRSS046N08N 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。