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KIA30N06BD

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:KIA(可易亚)
型号:
编号:
封装:TO-252-2(DPAK)
海关编码:EAR99
参数描述:环保
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
Transistor polarity
N沟道
Qualification level
Package
TO-252-2(DPAK)
VGS
2.5V 0.00025A
VDS
60V
Rds On
0.03Ω 15A 10V
Length
Width
Pd-Power Dissipation
0.7W
Circuit Branch Number
Termination type
Qg
Height
Continuous drain current
25A
Operating Temperature Range
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
25A
功率(Pd)
34.7W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
30mΩ@10V,15A
阈值电压(Vgs(th)@Id)
2.5V@250uA
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
1.20991
数量(递增量:1):
库存:
27
最小包装量:
2500 (圆盘)
交付周期:
1-3 工作日
共:
1.21
C002255342 KIA30N06BD 由 KIA(可易亚) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002255342 KIA30N06BD 参考价格 ¥1.2099,实时库存 27。TO-252-2(DPAK) Transistor polarity: N沟道, Qualification level: , Package: TO-252-2(DPAK), VGS: 2.5V 0.00025A, VDS: 60V, Rds On: 0.03Ω 15A 10V, Length: , Width: , Pd-Power Dissipation: 0.7W, Circuit Branch Number: , Termination type: , Qg: , Height: , Continuous drain current: 25A, Operating Temperature Range: , 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 60V, 连续漏极电流(Id): 25A, 功率(Pd): 34.7W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 30mΩ@10V,15A, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA。你可以下载 KIA30N06BD 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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