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CJAE10P06

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:JSCJ(长晶)
型号:
编号:
封装:DFNWB-8L-EP(3x3)
海关编码:EAR99
参数描述:DFNWB3×3-8L
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
类型
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
10A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
26mΩ@10V
功率(Pd)
3W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
3V
栅极电荷(Qg@Vgs)
52nC
输入电容(Ciss@Vds)
4.5nF
反向传输电容(Crss@Vds)
515pF
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
5+
2.56671
50+
2.11517
150+
1.92166
500+
1.68021
2500+
1.57277
数量(递增量:5):
库存:
20,000
最小包装量:
5000 (圆盘)
交付周期:
2-3 工作日
共:
12.84
C002256555 CJAE10P06 由 JSCJ(长晶) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002256555 CJAE10P06 参考价格 ¥2.5667,实时库存 20000。DFNWB-8L-EP(3x3) 类型: 1个P沟道, 漏源电压(Vdss): 60V, 连续漏极电流(Id): 10A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 26mΩ@10V, 功率(Pd): 3W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 3V, 栅极电荷(Qg@Vgs): 52nC, 输入电容(Ciss@Vds): 4.5nF, 反向传输电容(Crss@Vds): 515pF, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 CJAE10P06 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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