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SE4060GB

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:SINO-IC(光宇睿芯)
型号:
编号:
封装:TO-252-2(DPAK)
海关编码:EAR99
参数描述:
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
Rds On
10V 0.0095Ω 20A
Transistor polarity
N沟道
VDS
45V
Continuous drain current
56A
Pd-Power Dissipation
0.5W
VGS
0.00025A 2.2V
Package
TO-252-2(DPAK)
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
45V
连续漏极电流(Id)
56A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
9.5mΩ@10V,20A
功率(Pd)
62.5W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
2.2V@250uA
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
2.3325
10+
1.88303
30+
1.6904
100+
1.45005
500+
1.3141
1000+
1.24988
数量(递增量:1):
库存:
10
最小包装量:
2500 (圆盘)
交付周期:
2-3 工作日
共:
2.34
C002266642 SE4060GB 由 SINO-IC(光宇睿芯) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002266642 SE4060GB 参考价格 ¥2.3325,实时库存 10。TO-252-2(DPAK) Rds On: 10V 0.0095Ω 20A, Transistor polarity: N沟道, VDS: 45V, Continuous drain current: 56A, Pd-Power Dissipation: 0.5W, VGS: 0.00025A 2.2V, Package: TO-252-2(DPAK), 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 45V, 连续漏极电流(Id): 56A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 9.5mΩ@10V,20A, 功率(Pd): 62.5W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.2V@250uA。你可以下载 SE4060GB 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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