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HST503

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Huake(华科)
型号:
编号:
封装:TO-220C
海关编码:EAR99
参数描述:TO-220C
数据手册:
规格
Category
MOSFET
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
120A
功率(Pd)
220W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
3.6mΩ@10V,50A
阈值电压(Vgs(th)@Id)
4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
114nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
7.26nF@50V
反向传输电容(Crss@Vds)
24pF@50V
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
4.162621
10+
3.40914
50+
3.03786
100+
2.66658
500+
2.44818
1000+
2.32806
数量(递增量:1):
库存:
5,950
最小包装量:
50 (管)
交付周期:
2-3 工作日
共:
4.17

C002267707 HST503 由 Huake(华科) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002267707 HST503 参考价格 ¥4.162601,实时库存 5950。TO-220C 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 100V, 连续漏极电流(Id): 120A, 功率(Pd): 220W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 3.6mΩ@10V,50A, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 4V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 114nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 7.26nF@50V, 反向传输电容(Crss@Vds): 24pF@50V。你可以下载 HST503 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。

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