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GC3M0160120D

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:GwokSemi(国晶微)
型号:
编号:
封装:TO-247-3
海关编码:EAR99
参数描述:TO-247-3
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
沟道类型
1个N沟道
Vds-漏源击穿电压
1200V
Id-漏极电流(25℃)
17A
Pd-功耗
97W
Vgs(th)-漏源阈值电压
2.8V
RDS(on)-导通电阻(15V)
160mΩ
Qg-栅极电荷
38nC
Ciss-输入电容
632pF
Crss-反向传输电容
3pF
工作温度
-55℃~+150℃
Coss-输出电容
39pF
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
29.46321
10+
25.52109
30+
23.17657
数量(递增量:1):
库存:
60
最小包装量:
30 (管)
交付周期:
2-3 工作日
共:
29.47
C002268997 GC3M0160120D 由 GwokSemi(国晶微) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002268997 GC3M0160120D 参考价格 ¥29.4632,实时库存 60。TO-247-3 沟道类型: 1个N沟道, Vds-漏源击穿电压: 1200V, Id-漏极电流(25℃): 17A, Pd-功耗: 97W, Vgs(th)-漏源阈值电压: 2.8V, RDS(on)-导通电阻(15V): 160mΩ, Qg-栅极电荷: 38nC, Ciss-输入电容: 632pF, Crss-反向传输电容: 3pF, 工作温度: -55℃~+150℃, Coss-输出电容: 39pF。你可以下载 GC3M0160120D 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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