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ASW65R072EFDA

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:ANHI(安海)
型号:
编号:
封装:TO-247
海关编码:EAR99
参数描述:TO-247
数据手册:
规格
Category
MOSFET
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
54A
功率(Pd)
172W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
60mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)
4V
栅极电荷(Qg@Vgs)
93.78nC
输入电容(Ciss@Vds)
4.528nF
反向传输电容(Crss@Vds)
3.08pF
工作温度
-55℃~+150℃
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
23.88414
10+
20.62998
30+
18.69714
100+
16.742461
500+
15.84702
数量(递增量:1):
库存:
4,000
最小包装量:
1000 (管)
交付周期:
2-3 工作日
共:
23.89

C002273976 ASW65R072EFDA 由 ANHI(安海) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002273976 ASW65R072EFDA 参考价格 ¥23.8841,实时库存 4000。TO-247 漏源电压(Vdss): 650V, 连续漏极电流(Id): 54A, 功率(Pd): 172W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 60mΩ, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 4V, 栅极电荷(Qg@Vgs): 93.78nC, 输入电容(Ciss@Vds): 4.528nF, 反向传输电容(Crss@Vds): 3.08pF, 工作温度: -55℃~+150℃。你可以下载 ASW65R072EFDA 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。

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