CRST060N10N

The pictures of products are only demonstrative and may be different than the real look of products. It does not change their basic features.

Mfr.:	CRMICRO(华润微)
Mfr. Part #:	CRST060N10N
YJC. No:	C002301525
Package:	TO-220
ECCN:	EAR99
Description:	N沟道
Datasheet:	Datasheet

SPECIFICATION

Category

MOSFET

Transistor polarity

N沟道

Package

TO-220

Pd-Power Dissipation

227W

Rds On

10V 50A 0.006Ω

VGS

4V 0.00025A

VDS

100V

Continuous drain current

120A

类型

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

100V

连续漏极电流(Id)

120A

功率(Pd)

227W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

6mΩ@10V,50A

阈值电压(Vgs(th)@Id)

4V@250uA

Shop:

1001

Settle

Cooperation

QTY[pcs]

Price[CNY/pcs]

1+

4.54482

10+

3.75858

50+

3.34362

100+

2.9505

500+

2.72118

1000+

2.60106

QTY(Multiplicity:1):

Stock:

550

+-

Add To Cart

Quota

Mpq:

50 (管)

Delivery:

2-3 Business Day

Total:

￥4.55

C002301525 CRST060N10N 由 CRMICRO(华润微) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002301525 CRST060N10N 参考价格 ￥4.5448，实时库存 550。TO-220 Transistor polarity: N沟道, Package: TO-220, Pd-Power Dissipation: 227W, Rds On: 10V 50A 0.006Ω, VGS: 4V 0.00025A, VDS: 100V, Continuous drain current: 120A, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 100V, 连续漏极电流(Id): 120A, 功率(Pd): 227W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 6mΩ@10V,50A, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 4V@250uA。你可以下载 CRST060N10N 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。