logo
我的购物车

GC3M0075120K

img
产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:GwokSemi(国晶微)
型号:
编号:
封装:TO247-4
海关编码:EAR99
参数描述:TO247-4
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
封装类型
单管
沟道类型
1个N沟道
Vds-漏源击穿电压
1200V
Id-漏极电流(25℃)
32A
Pd-功耗
136W
Vgs(th)-漏源阈值电压
2.5V
RDS(on)-导通电阻(15V)
75mΩ
Qg-栅极电荷
53nC
Ciss-输入电容
1390pF
Crss-反向传输电容
2pF
工作温度
-40℃~+175℃
Coss-输出电容
58pF
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
27.89779
10+
24.1839
30+
21.98461
90+
19.7542
600+
18.72717
900+
18.26034
数量(递增量:1):
库存:
1,710
最小包装量:
30 (管)
交付周期:
2-3 工作日
共:
27.90
C002304848 GC3M0075120K 由 GwokSemi(国晶微) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002304848 GC3M0075120K 参考价格 ¥27.8978,实时库存 1710。TO247-4 封装类型: 单管, 沟道类型: 1个N沟道, Vds-漏源击穿电压: 1200V, Id-漏极电流(25℃): 32A, Pd-功耗: 136W, Vgs(th)-漏源阈值电压: 2.5V, RDS(on)-导通电阻(15V): 75mΩ, Qg-栅极电荷: 53nC, Ciss-输入电容: 1390pF, Crss-反向传输电容: 2pF, 工作温度: -40℃~+175℃, Coss-输出电容: 58pF。你可以下载 GC3M0075120K 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
数据手册
RFQ
登录显示更多福利!