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GC2M1000170D

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:GwokSemi(国晶微)
型号:
编号:
封装:TO247-3
海关编码:EAR99
参数描述:TO247-3
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
封装类型
单管
沟道类型
1个N沟道
Vds-漏源击穿电压
1700V
Id-漏极电流(25℃)
5A
Pd-功耗
69W
Vgs(th)-漏源阈值电压
2.8V
RDS(on)-导通电阻(20V)
0.8Ω
Qg-栅极电荷
22nC
Ciss-输入电容
215pF
Crss-反向传输电容
2.2pF
工作温度
-55℃~+150℃
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
17.48334
10+
15.00396
30+
13.45823
90+
11.87101
600+
11.1552
900+
10.84398
数量(递增量:1):
库存:
4,020
最小包装量:
30 (管)
交付周期:
2-3 工作日
共:
17.49
C002305203 GC2M1000170D 由 GwokSemi(国晶微) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002305203 GC2M1000170D 参考价格 ¥17.4833,实时库存 4020。TO247-3 封装类型: 单管, 沟道类型: 1个N沟道, Vds-漏源击穿电压: 1700V, Id-漏极电流(25℃): 5A, Pd-功耗: 69W, Vgs(th)-漏源阈值电压: 2.8V, RDS(on)-导通电阻(20V): 0.8Ω, Qg-栅极电荷: 22nC, Ciss-输入电容: 215pF, Crss-反向传输电容: 2.2pF, 工作温度: -55℃~+150℃。你可以下载 GC2M1000170D 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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