登录
logo
我的购物车

LP8314DT1AG

img
产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:LRC(乐山无线电)
型号:
编号:
封装:DFN3030-8B
海关编码:EAR99
参数描述:LP8314DT1AG DFN3030-8B
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
类型
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
12A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
25mΩ@10V,5A
功率(Pd)
3.1W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
19nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)
1.539nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)
151pF@15V
工作温度
-50℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
3000+
0.63756
数量(递增量:3000):
库存:
3,000
最小包装量:
3000 (圆盘)
交付周期:
1-3 工作日
共:
1,912.68
C002308858 LP8314DT1AG 由 LRC(乐山无线电) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002308858 LP8314DT1AG 参考价格 ¥0.6376,实时库存 3000。DFN3030-8B 类型: 1个P沟道, 漏源电压(Vdss): 30V, 连续漏极电流(Id): 12A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 25mΩ@10V,5A, 功率(Pd): 3.1W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 3V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 19nC@4.5V, 输入电容(Ciss@Vds): 1.539nF@15V, 反向传输电容(Crss@Vds): 151pF@15V, 工作温度: -50℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 LP8314DT1AG 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
数据手册
RFQ
登录显示更多福利!