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CRST040N10N

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:CRMICRO(华润微)
型号:
编号:
封装:TO-220
海关编码:EAR99
参数描述:TO-220
数据手册:
规格
Category
MOSFET
Transistor polarity
N沟道
VGS
4V 0.00025A
VDS
100V
Rds On
10V 50A 0.004Ω
Continuous drain current
120A
Pd-Power Dissipation
227W
Package
TO-220
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
120A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
4mΩ@10V,50A
功率(Pd)
227W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
4V@250uA
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
5.86236
10+
4.93908
50+
4.18178
100+
3.72532
数量(递增量:1):
库存:
251,950
最小包装量:
50 (管)
交付周期:
2-3 工作日
共:
5.87

C002310536 CRST040N10N 由 CRMICRO(华润微) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002310536 CRST040N10N 参考价格 ¥5.8624,实时库存 251950。TO-220 Transistor polarity: N沟道, VGS: 4V 0.00025A, VDS: 100V, Rds On: 10V 50A 0.004Ω, Continuous drain current: 120A, Pd-Power Dissipation: 227W, Package: TO-220, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 100V, 连续漏极电流(Id): 120A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4mΩ@10V,50A, 功率(Pd): 227W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 4V@250uA。你可以下载 CRST040N10N 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。

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