DP6B20KC

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产商:	Doeshare(德芯)
型号:	DP6B20KC
编号:	C002347615
封装:	SOT-883-3
海关编码:	EAR99
参数描述:	SOT-883-3
数据手册:	数据手册

规格

Category

MOSFET

类型

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

600mA

功率(Pd)

300mW

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

510mΩ@4.5V,0.5A

阈值电压(Vgs(th)@Id)

600mV@250uA

栅极电荷(Qg@Vgs)

1.1nC@10V

输入电容(Ciss@Vds)

39pF@10V

反向传输电容(Crss@Vds)

4.2pF@10V

工作温度

-50℃~+150℃@(Tj)

店铺:

1001

入驻

合作库存

数量[pcs]

单价[CNY/pcs]

20+

0.13549

200+

0.11798

600+

0.10826

2000+

0.10243

10000+

0.08728

20000+

0.08455

数量(递增量:20):

库存:

100

+-

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10000 (圆盘)

交付周期:

2-3 工作日

共:

￥2.71

C002347615 DP6B20KC 由 Doeshare(德芯) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002347615 DP6B20KC 参考价格 ￥0.1355，实时库存 100。SOT-883-3 类型: 1个P沟道, 漏源电压(Vdss): 20V, 连续漏极电流(Id): 600mA, 功率(Pd): 300mW, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 510mΩ@4.5V,0.5A, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 600mV@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 1.1nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 39pF@10V, 反向传输电容(Crss@Vds): 4.2pF@10V, 工作温度: -50℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 DP6B20KC 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。