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LBSS84ELT1G

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:LRC(乐山无线电)
型号:
编号:
封装:SOT-23
海关编码:EAR99
参数描述:P沟道
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
Rds On
10V 5Ω 0.1A
Transistor polarity
P沟道
Continuous drain current
0.13A
Package
SOT-23
Pd-Power Dissipation
0.225W
VDS
60V
VGS
2V 0.00025A
类型
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
130mA
功率(Pd)
225mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
5Ω@10V,100mA
阈值电压(Vgs(th)@Id)
2V@250uA
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
0.17142
30+
0.1653
100+
0.15917
500+
0.14693
1000+
0.14081
2000+
0.13713
数量(递增量:1):
库存:
201,000
最小包装量:
3000 (圆盘)
交付周期:
2-4 工作日
共:
0.18
C002380616 LBSS84ELT1G 由 LRC(乐山无线电) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002380616 LBSS84ELT1G 参考价格 ¥0.1714,实时库存 201000。SOT-23 Rds On: 10V 5Ω 0.1A, Transistor polarity: P沟道, Continuous drain current: 0.13A, Package: SOT-23, Pd-Power Dissipation: 0.225W, VDS: 60V, VGS: 2V 0.00025A, 类型: 1个P沟道, 漏源电压(Vdss): 60V, 连续漏极电流(Id): 130mA, 功率(Pd): 225mW, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 5Ω@10V,100mA, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2V@250uA。你可以下载 LBSS84ELT1G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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