HCH65R180

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Mfr.:	Huake(华科)
Mfr. Part #:	HCH65R180
YJC. No:	C002415967
Package:	TO-262
ECCN:	EAR99
Description:	TO-262
Datasheet:	Datasheet

SPECIFICATION

Category

MOSFET

类型

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

650V

连续漏极电流(Id)

20A

功率(Pd)

185W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

180mΩ@10V,10A

阈值电压(Vgs(th)@Id)

4V@250uA

栅极电荷(Qg@Vgs)

39nC@10V

输入电容(Ciss@Vds)

1.17nF@100V

反向传输电容(Crss@Vds)

4pF@100V

Shop:

1001

Settle

Cooperation

QTY[pcs]

Price[CNY/pcs]

1+

6.82605

10+

5.74497

50+

5.14437

100+

4.47825

500+

4.17249

1000+

4.04145

QTY(Multiplicity:1):

Stock:

5,950

+-

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Quota

Mpq:

50 (管)

Delivery:

2-3 Business Day

Total:

￥6.83

C002415967 HCH65R180 由 Huake(华科) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002415967 HCH65R180 参考价格 ￥6.8261，实时库存 5950。TO-262 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 650V, 连续漏极电流(Id): 20A, 功率(Pd): 185W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 180mΩ@10V,10A, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 4V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 39nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 1.17nF@100V, 反向传输电容(Crss@Vds): 4pF@100V。你可以下载 HCH65R180 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。