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GC3M0060065K

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:GwokSemi(国晶微)
型号:
编号:
封装:TO-247-4
海关编码:EAR99
参数描述:TO-247-4
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
封装类型
单管
沟道类型
1个N沟道
Vds-漏源击穿电压
650V
Id-漏极电流(25℃)
37A
Pd-功耗
150W
Vgs(th)-漏源阈值电压
2.3V
RDS(on)-导通电阻(15V)
60mΩ
Qg-栅极电荷
46nC
Ciss-输入电容
1020pF
Crss-反向传输电容
9pF
工作温度
-40℃~+175℃
Coss-输出电容
80pF
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
35.66687
10+
31.12305
30+
28.34282
90+
26.01905
数量(递增量:1):
库存:
900
最小包装量:
30 (管)
交付周期:
2-3 工作日
共:
35.67
C002442996 GC3M0060065K 由 GwokSemi(国晶微) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002442996 GC3M0060065K 参考价格 ¥35.6669,实时库存 900。TO-247-4 封装类型: 单管, 沟道类型: 1个N沟道, Vds-漏源击穿电压: 650V, Id-漏极电流(25℃): 37A, Pd-功耗: 150W, Vgs(th)-漏源阈值电压: 2.3V, RDS(on)-导通电阻(15V): 60mΩ, Qg-栅极电荷: 46nC, Ciss-输入电容: 1020pF, Crss-反向传输电容: 9pF, 工作温度: -40℃~+175℃, Coss-输出电容: 80pF。你可以下载 GC3M0060065K 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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