GC3M0280090D

C002463281 GC3M0280090D 由 GwokSemi(国晶微) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002463281 GC3M0280090D 参考价格 ￥33.1252，实时库存 930。TO247-3 封装类型: 单管, 沟道类型: 1个N沟道, Vds-漏源击穿电压: 900V, Id-漏极电流(25℃): 10.2A, Pd-功耗: 45W, Vgs(th)-漏源阈值电压: 2.7V, RDS(on)-导通电阻(15V): 320mΩ, Qg-栅极电荷: 9.7nC, Ciss-输入电容: 204pF, Crss-反向传输电容: 3pF, 工作温度: -55℃~+150℃, Coss-输出电容: 26pF。你可以下载 GC3M0280090D 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。