NCE65T1K2K

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产商:	NCE(新洁能)
型号:	NCE65T1K2K
编号:	C002471878
封装:	TO-252-2(DPAK)
海关编码:	EAR99
参数描述:
数据手册:	数据手册

规格

Category

MOSFET

Package

TO-252-2(DPAK)

Continuous drain current

4A

VGS

4V 0.00025A

Rds On

10V 1.1Ω 2A

Pd-Power Dissipation

41W

VDS

650V

Transistor polarity

N沟道

类型

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

650V

连续漏极电流(Id)

4A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

1.1Ω@10V,2A

功率(Pd)

41W

阈值电压(Vgs(th)@Id)

4V@250uA

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C002471878 NCE65T1K2K 由 NCE(新洁能) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002471878 NCE65T1K2K 参考价格 ￥1.7639，实时库存 27500。TO-252-2(DPAK) Package: TO-252-2(DPAK), Continuous drain current: 4A, VGS: 4V 0.00025A, Rds On: 10V 1.1Ω 2A, Pd-Power Dissipation: 41W, VDS: 650V, Transistor polarity: N沟道, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 650V, 连续漏极电流(Id): 4A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 1.1Ω@10V,2A, 功率(Pd): 41W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 4V@250uA。你可以下载 NCE65T1K2K 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。