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2N7002

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:LGE(鲁光)
型号:
编号:
封装:SOT-23
海关编码:EAR99
参数描述:N沟道
数据手册:
规格
Category
MOSFET
Continuous drain current
0.115A
Transistor polarity
N沟道
Package
SOT-23
Pd-Power Dissipation
0.2W
Rds On
7.5Ω 0.5A 10V
VGS
2.5V 0.00025A
VDS
60V
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
115mA
功率(Pd)
200mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
7.5Ω@10V,500mA
阈值电压(Vgs(th)@Id)
2.5V@250uA
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
20+
0.14955
200+
0.12119
600+
0.10544
3000+
0.08571
9000+
0.07751
21000+
0.0731
数量(递增量:20):
库存:
66,000
最小包装量:
3000 (圆盘)
交付周期:
2-3 工作日
共:
3.00

C002472915 2N7002 由 LGE(鲁光) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002472915 2N7002 参考价格 ¥0.1496,实时库存 66000。SOT-23 Continuous drain current: 0.115A, Transistor polarity: N沟道, Package: SOT-23, Pd-Power Dissipation: 0.2W, Rds On: 7.5Ω 0.5A 10V, VGS: 2.5V 0.00025A, VDS: 60V, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 60V, 连续漏极电流(Id): 115mA, 功率(Pd): 200mW, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 7.5Ω@10V,500mA, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA。你可以下载 2N7002 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。

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