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KIA3510AD

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:KIA(可易亚)
型号:
编号:
封装:TO-252-2(DPAK)
海关编码:EAR99
参数描述:100V 70A的N-MOSFET,9mΩ@10V, TO-252-2 台湾技术,超高性价比
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
VDS
100V
Transistor polarity
N沟道
Package
TO-252-2(DPAK)
Pd-Power Dissipation
166W
Continuous drain current
70A
VGS
4V 0.00025A
Rds On
50A 0.011Ω 10V
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
70A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
11mΩ@10V,50A
功率(Pd)
166W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
4V@250uA
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
3.48663
10+
2.84235
30+
2.55843
100+
2.21991
500+
1.87047
1000+
1.77219
数量(递增量:1):
库存:
7,500
最小包装量:
2500 (圆盘)
交付周期:
2-3 工作日
共:
3.49
C002515092 KIA3510AD 由 KIA(可易亚) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002515092 KIA3510AD 参考价格 ¥3.4866,实时库存 7500。TO-252-2(DPAK) VDS: 100V, Transistor polarity: N沟道, Package: TO-252-2(DPAK), Pd-Power Dissipation: 166W, Continuous drain current: 70A, VGS: 4V 0.00025A, Rds On: 50A 0.011Ω 10V, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 100V, 连续漏极电流(Id): 70A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 11mΩ@10V,50A, 功率(Pd): 166W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 4V@250uA。你可以下载 KIA3510AD 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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