HST50N10

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产商:	Huake(华科)
型号:	HST50N10
编号:	C002541197
封装:	TO-220C
海关编码:	EAR99
参数描述:	TO-220C
数据手册:	数据手册

规格

Category

MOSFET

类型

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

100V

连续漏极电流(Id)

50A

功率(Pd)

90W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

13mΩ@10V,25A

阈值电压(Vgs(th)@Id)

2.5V@250uA

栅极电荷(Qg@Vgs)

24nC@10V

输入电容(Ciss@Vds)

1.28nF@25V

反向传输电容(Crss@Vds)

43pF@25V

店铺:

1001

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数量[pcs]

单价[CNY/pcs]

5+

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1.2531

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1.11943

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C002541197 HST50N10 由 Huake(华科) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002541197 HST50N10 参考价格 ￥1.565，实时库存 3900。TO-220C 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 100V, 连续漏极电流(Id): 50A, 功率(Pd): 90W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 13mΩ@10V,25A, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 24nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 1.28nF@25V, 反向传输电容(Crss@Vds): 43pF@25V。你可以下载 HST50N10 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。