NCE7560K

产品图片仅供参考，可能与产品实物不同，但不会改变其基本特征。

产商:	NCE(新洁能)
型号:	NCE7560K
编号:	C002594959
封装:	TO-252-2(DPAK)
海关编码:	EAR99
参数描述:	N沟道MOSFET. VDS=75V, ID=60A. 导通电阻<8.5mR
数据手册:

规格

Category

MOSFET

Continuous drain current

60A

Transistor polarity

N沟道

VDS

75V

VGS

4V 0.00025A

Package

TO-252-2(DPAK)

Rds On

0.0085Ω 30A 10V

Pd-Power Dissipation

140W

类型

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

75V

连续漏极电流(Id)

60A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

8.5mΩ@10V,30A

功率(Pd)

140W

阈值电压(Vgs(th)@Id)

4V@250uA

店铺:

1001

入驻

合作库存

数量[pcs]

单价[CNY/pcs]

1+

3.22455

10+

2.70039

30+

2.47107

100+

2.18715

500+

1.99059

1000+

1.91415

数量(递增量:1):

库存:

142,500

+-

加入购物车

询价

最小包装量:

2500 (圆盘)

交付周期:

2-3 工作日

共:

￥3.23

C002594959 NCE7560K 由 NCE(新洁能) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002594959 NCE7560K 参考价格 ￥3.2246，实时库存 142500。TO-252-2(DPAK) Continuous drain current: 60A, Transistor polarity: N沟道, VDS: 75V, VGS: 4V 0.00025A, Package: TO-252-2(DPAK), Rds On: 0.0085Ω 30A 10V, Pd-Power Dissipation: 140W, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 75V, 连续漏极电流(Id): 60A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 8.5mΩ@10V,30A, 功率(Pd): 140W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 4V@250uA。你可以下载 NCE7560K 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。