VBL1806

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产商:	VBsemi(微碧)
型号:	VBL1806
编号:	C002647761
封装:	TO-263
海关编码:	EAR99
参数描述:
数据手册:	数据手册

规格

Category

MOSFET

Pd-Power Dissipation

370W

VGS

4.5V 0.00025A

Package

TO263

Transistor polarity

N沟道

Rds On

120A 0.0065Ω 10V

VDS

80V

Continuous drain current

120A

类型

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

80V

连续漏极电流(Id)

120A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

6.5mΩ@10V,120A

功率(Pd)

370W

阈值电压(Vgs(th)@Id)

4.5V@250uA

店铺:

1001

入驻

合作库存

数量[pcs]

单价[CNY/pcs]

10+

4.914

100+

4.83

500+

4.788

1000+

4.32768

3000+

4.2504

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库存:

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C002647761 VBL1806 由 VBsemi(微碧) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002647761 VBL1806 参考价格 ￥4.914，实时库存 49600。TO-263 Pd-Power Dissipation: 370W, VGS: 4.5V 0.00025A, Package: TO263, Transistor polarity: N沟道, Rds On: 120A 0.0065Ω 10V, VDS: 80V, Continuous drain current: 120A, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 80V, 连续漏极电流(Id): 120A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 6.5mΩ@10V,120A, 功率(Pd): 370W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 4.5V@250uA。你可以下载 VBL1806 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。