IXFH50N50P3

C002669381 IXFH50N50P3 由 IXYS(艾赛斯) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002669381 IXFH50N50P3 参考价格 ￥25.9617，实时库存 450。TO-247 Operating Temperature Range: -55℃~150℃, VDS: 500V, Continuous drain current: 50A, VGS: 30V, Rds On: 0.12Ω, Package: 16.26mm*5.3mm, Qg: 85 nC, Height: 21.46 mm, Transistor polarity: Polar3HiperFETPowerMOSFET, Length: 16.26 mm, Pd-Power Dissipation: 960W, Termination type: Through Hole, Width: 5.3 mm, Circuit Branch Number: 1Channel, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 500V, 连续漏极电流(Id): 50A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 120mΩ@25A,10V, 功率(Pd): 960W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 5V@4mA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 85nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 4.335nF@25V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 IXFH50N50P3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。