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规格
Pd-Power Dissipation
0.625W
Collector-emitter voltage
30V
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)
100@50mA,1V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)
500mV@500mA,20mA
C002757130 SEBT8050 由 SINO-IC(光宇睿芯) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-双极晶体管(三极管) 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002757130 SEBT8050 参考价格 ¥0.1426,实时库存 336。SOT-23 Transistor polarity: NPN, Package: SOT-23, Pd-Power Dissipation: 0.625W, Collector-emitter voltage: 30V, Collector Current Ic: 1.5A, 晶体管类型: NPN, 集电极电流(Ic): 1.5A, 集射极击穿电压(Vceo): 30V, 功率(Pd): 625mW, 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 100@50mA,1V, 特征频率(fT): 120MHz, 集电极截止电流(Icbo): 50nA, 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 500mV@500mA,20mA。你可以下载 SEBT8050 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。