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SE10015

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:SINO-IC(光宇睿芯)
型号:
编号:
封装:TO-252-2(DPAK)
海关编码:EAR99
参数描述:
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
VGS
1V 0.00025A
Pd-Power Dissipation
50W
Continuous drain current
15A
Package
TO-252-2(DPAK)
Rds On
15A 0.08Ω 10V
VDS
100V
Transistor polarity
N沟道
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
15A
功率(Pd)
50W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
80mΩ@10V,15A
阈值电压(Vgs(th)@Id)
1V@250uA
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
5+
1.17834
50+
0.96703
150+
0.8765
500+
0.76348
2500+
0.61749
5000+
0.58734
数量(递增量:5):
库存:
17,500
最小包装量:
2500 (圆盘)
交付周期:
2-3 工作日
共:
5.90
C002793859 SE10015 由 SINO-IC(光宇睿芯) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002793859 SE10015 参考价格 ¥1.1783,实时库存 17500。TO-252-2(DPAK) VGS: 1V 0.00025A, Pd-Power Dissipation: 50W, Continuous drain current: 15A, Package: TO-252-2(DPAK), Rds On: 15A 0.08Ω 10V, VDS: 100V, Transistor polarity: N沟道, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 100V, 连续漏极电流(Id): 15A, 功率(Pd): 50W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 80mΩ@10V,15A, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 1V@250uA。你可以下载 SE10015 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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