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2SD2170T100
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| Mfr.: | ROHM(罗姆) |
| Mfr. Part #: | |
| YJC. No: | |
| Package: | SC-62 |
| ECCN: | EAR99 |
| Description: | NPN |
| Datasheet: | Datasheet |
SPECIFICATION
Category
达林顿管
Package
SC-62
Transistor type
NPN-达林顿
类型
NPN
集射极击穿电压(Vceo)
90V
直流电流增益(hFE@Vce,Ic)
1000@2V,1A
功率(Pd)
2W
集电极电流(Ic)
2A
特征频率(fT)
80MHz
集电极截止电流(Icbo@Vcb)
10uA@70V
集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib)
1.5V@1A,1mA
QTY[pcs]
Price[CNY/pcs]
5+
1.32739
50+
1.15289
150+
1.07809
1000+
0.93678
2000+
0.89518
5000+
0.87029
QTY(Multiplicity:5):
Stock:
99,000Mpq:
1000 (圆盘)
Delivery:
2-3 Business Day
Total:
￥6.64
C002842817 2SD2170T100 由 ROHM(罗姆) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-达林顿管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002842817 2SD2170T100 参考价格 ￥1.3274，实时库存 99000。SC-62 Package: SC-62, Transistor type: NPN-达林顿, 类型: NPN, 集射极击穿电压(Vceo): 90V, 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 1000@2V,1A, 功率(Pd): 2W, 集电极电流(Ic): 2A, 特征频率(fT): 80MHz, 集电极截止电流(Icbo@Vcb): 10uA@70V, 集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib): 1.5V@1A,1mA。你可以下载 2SD2170T100 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。
Datasheet
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