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ASE70R950E

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:ANHI(安海)
型号:
编号:
封装:SOT223-2L
海关编码:EAR99
参数描述:SOT223-2L
数据手册:
规格
Category
MOSFET
漏源电压(Vdss)
750V
连续漏极电流(Id)
6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
950mΩ
功率(Pd)
37W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
3.5V
栅极电荷(Qg@Vgs)
10.3nC
输入电容(Ciss@Vds)
377pF
反向传输电容(Crss@Vds)
4.55pF
工作温度
-55℃~+150℃
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
2.63382
10+
2.17518
30+
1.9677
100+
1.77114
500+
1.6401
1000+
1.56366
数量(递增量:1):
库存:
15,000
最小包装量:
3000 (圆盘)
交付周期:
2-3 工作日
共:
2.64

C002897485 ASE70R950E 由 ANHI(安海) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002897485 ASE70R950E 参考价格 ¥2.6338,实时库存 15000。SOT223-2L 漏源电压(Vdss): 750V, 连续漏极电流(Id): 6A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 950mΩ, 功率(Pd): 37W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 3.5V, 栅极电荷(Qg@Vgs): 10.3nC, 输入电容(Ciss@Vds): 377pF, 反向传输电容(Crss@Vds): 4.55pF, 工作温度: -55℃~+150℃。你可以下载 ASE70R950E 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。

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