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TX40N06B

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:XDS(芯鼎盛)
型号:
编号:
封装:TO-252
海关编码:EAR99
参数描述:TX40N06B
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
Pd-Power Dissipation
250W
Continuous drain current
35A
Package
TO-252
Transistor polarity
N沟道
VDS
60V
VGS
0.00025A 2V
Rds On
10V 0.025Ω 38.8A
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
35A
功率(Pd)
250W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
25mΩ@10V,38.8A
阈值电压(Vgs(th)@Id)
2V@250uA
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
1.70601
10+
1.3979
30+
1.26581
100+
1.1011
500+
1.02778
1000+
0.88754
数量(递增量:1):
库存:
22,500
最小包装量:
2500 (圆盘)
交付周期:
2-3 工作日
共:
1.71
C002933665 TX40N06B 由 XDS(芯鼎盛) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002933665 TX40N06B 参考价格 ¥1.706,实时库存 22500。TO-252 Pd-Power Dissipation: 250W, Continuous drain current: 35A, Package: TO-252, Transistor polarity: N沟道, VDS: 60V, VGS: 0.00025A 2V, Rds On: 10V 0.025Ω 38.8A, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 60V, 连续漏极电流(Id): 35A, 功率(Pd): 250W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 25mΩ@10V,38.8A, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2V@250uA。你可以下载 TX40N06B 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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