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IPP075N15N3G

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Infineon(英飞凌)
型号:
编号:
封装:TO-220-3
海关编码:EAR99
参数描述:
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
Continuous drain current
100A
VGS
4V
Rds On
100A 10V 0.0075Ω
Transistor polarity
N沟道
VDS
150V
Pd-Power Dissipation
300W
Package
TO-220-3
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
150V
连续漏极电流(Id)
100A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
7.5mΩ@10V,100A
功率(Pd)
300W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
4V@270uA
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
16.23027
10+
14.06811
30+
12.71403
100+
10.06047
500+
9.43803
数量(递增量:1):
库存:
72,600
最小包装量:
50 (管)
交付周期:
2-3 工作日
共:
16.24
C002933722 IPP075N15N3G 由 Infineon(英飞凌) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002933722 IPP075N15N3G 参考价格 ¥16.2303,实时库存 72600。TO-220-3 Continuous drain current: 100A, VGS: 4V, Rds On: 100A 10V 0.0075Ω, Transistor polarity: N沟道, VDS: 150V, Pd-Power Dissipation: 300W, Package: TO-220-3, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 150V, 连续漏极电流(Id): 100A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 7.5mΩ@10V,100A, 功率(Pd): 300W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 4V@270uA。你可以下载 IPP075N15N3G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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