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NCE60P04Y

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:NCE(新洁能)
型号:
编号:
封装:SOT-23-3L
海关编码:EAR99
参数描述:P沟道,60V,4A,120毫欧。
数据手册:
规格
Category
MOSFET
VGS
3V 0.00025A
Continuous drain current
4A
Pd-Power Dissipation
1.5W
VDS
60V
Rds On
0.12Ω 10V 4A
Package
SOT-23-3L
Transistor polarity
P沟道
类型
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
4A
功率(Pd)
1.5W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
120mΩ@10V,4A
阈值电压(Vgs(th)@Id)
3V@250uA
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
5+
0.80689
50+
0.66223
150+
0.58991
500+
0.53566
3000+
0.49227
6000+
0.47057
数量(递增量:5):
库存:
483,000
最小包装量:
3000 (圆盘)
交付周期:
2-3 工作日
共:
4.04

C003009955 NCE60P04Y 由 NCE(新洁能) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C003009955 NCE60P04Y 参考价格 ¥0.8069,实时库存 483000。SOT-23-3L VGS: 3V 0.00025A, Continuous drain current: 4A, Pd-Power Dissipation: 1.5W, VDS: 60V, Rds On: 0.12Ω 10V 4A, Package: SOT-23-3L, Transistor polarity: P沟道, 类型: 1个P沟道, 漏源电压(Vdss): 60V, 连续漏极电流(Id): 4A, 功率(Pd): 1.5W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 120mΩ@10V,4A, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 3V@250uA。你可以下载 NCE60P04Y 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。

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