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IPN70R1K4P7S

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Infineon(英飞凌)
型号:
编号:
封装:SOT-223-3
海关编码:EAR99
参数描述:
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
Package
SOT-223-3
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
700V
连续漏极电流(Id)
4A
功率(Pd)
6.2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
1.4Ω@10V,700mA
阈值电压(Vgs(th)@Id)
3.5V@40uA
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
4.054471
10+
3.35559
30+
3.00615
100+
2.65671
500+
2.38371
数量(递增量:1):
库存:
9,000
最小包装量:
3000 (圆盘)
交付周期:
2-3 工作日
共:
4.06
C003057268 IPN70R1K4P7S 由 Infineon(英飞凌) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C003057268 IPN70R1K4P7S 参考价格 ¥4.0545,实时库存 9000。SOT-223-3 Package: SOT-223-3, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 700V, 连续漏极电流(Id): 4A, 功率(Pd): 6.2W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 1.4Ω@10V,700mA, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 3.5V@40uA。你可以下载 IPN70R1K4P7S 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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