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NCE40P40K

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:NCE(新洁能)
型号:
编号:
封装:TO-252-2(DPAK)
海关编码:EAR99
参数描述:P沟道,40V,40A.
数据手册:
规格
Category
MOSFET
VDS
40V
Package
TO-252-2(DPAK)
Transistor polarity
P沟道
Rds On
12A 0.014Ω 10V
VGS
0.00025A 3V
Pd-Power Dissipation
80W
Continuous drain current
40A
类型
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
40A
功率(Pd)
80W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
14mΩ@10V,12A
阈值电压(Vgs(th)@Id)
3V@250uA
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
77+
1.53011
100+
1.1797
1250+
0.99633
数量(递增量:1):
库存:
115,000
最小包装量:
2500
交付周期:
3-5 工作日
共:
117.82

C003100527 NCE40P40K 由 NCE(新洁能) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C003100527 NCE40P40K 参考价格 ¥1.5301,实时库存 115000。TO-252-2(DPAK) VDS: 40V, Package: TO-252-2(DPAK), Transistor polarity: P沟道, Rds On: 12A 0.014Ω 10V, VGS: 0.00025A 3V, Pd-Power Dissipation: 80W, Continuous drain current: 40A, 类型: 1个P沟道, 漏源电压(Vdss): 40V, 连续漏极电流(Id): 40A, 功率(Pd): 80W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 14mΩ@10V,12A, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 3V@250uA。你可以下载 NCE40P40K 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。

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