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1SV325H3F

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Toshiba(东芝)
型号:
编号:
封装:SOD-523
海关编码:EAR99
参数描述:1SV325H3F SOD-523
数据手册:
数据手册
规格
Category
变容二极管VaractorDiode
Capacitance ratio
4.3
Package
SOD-523
Vr-reverse voltage
10V
Configuration
独立式
Reverse Leakage Current
0.000000003A
二极管配置
独立式
直流反向耐压(Vr)
10V
反向电流(Ir)
3nA@10V
二极管电容(CT)
12pF@4V,1MHz
电容比
4.3@C1V/C4V
串联电阻(Rs)
400mΩ
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
1.85955
10+
1.30263
30+
1.06239
100+
0.76755
500+
0.63651
1000+
0.54915
数量(递增量:1):
库存:
48,000
最小包装量:
4000 (圆盘)
交付周期:
2-3 工作日
共:
1.86
C003119197 1SV325H3F 由 Toshiba(东芝) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-二极管-变容二极管VaractorDiode 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C003119197 1SV325H3F 参考价格 ¥1.8596,实时库存 48000。SOD-523 Capacitance ratio: 4.3, Package: SOD-523, Vr-reverse voltage: 10V, Configuration: 独立式, Reverse Leakage Current: 0.000000003A, 二极管配置: 独立式, 直流反向耐压(Vr): 10V, 反向电流(Ir): 3nA@10V, 二极管电容(CT): 12pF@4V,1MHz, 电容比: 4.3@C1V/C4V, 串联电阻(Rs): 400mΩ。你可以下载 1SV325H3F 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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