G50N03J

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产商:	Goford
型号:	G50N03J
编号:	C003126381
封装:	TO-251
海关编码:	EAR99
参数描述:	TO-251
数据手册:

规格

Category

MOSFET

类型

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

65A

功率(Pd)

48W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

5mΩ

阈值电压(Vgs(th)@Id)

1.45V

店铺:

1001

入驻

合作库存

数量[pcs]

单价[CNY/pcs]

6+

1.08798

60+

0.8816

180+

0.76366

600+

0.65326

3000+

0.60412

6000+

0.57464

数量(递增量:6):

库存:

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C003126381 G50N03J 由 Goford 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C003126381 G50N03J 参考价格 ￥1.088，实时库存 72。TO-251 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 30V, 连续漏极电流(Id): 65A, 功率(Pd): 48W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 5mΩ, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.45V。你可以下载 G50N03J 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。