AOD5B65MQ1E

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产商:	AOS(美国万代)
型号:	AOD5B65MQ1E
编号:	C003151329
封装:	TO-252(DPAK)
海关编码:	EAR99
参数描述:	TO-252(DPAK)
数据手册:	数据手册

规格

Category

IGBT管

集射极击穿电压(Vces)

650V

集电极电流(Ic)

10A

功率(Pd)

52W

栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)

2.7V@15V,5A

栅极电荷(Qg@Ic,Vge)

8.8nC

开启延迟时间(Td(on))

7ns

关断延迟时间(Td(off))

78ns

导通损耗(Eon)

0.09mJ

关断损耗(Eoff)

0.06mJ

反向恢复时间(Trr)

74ns

工作温度

-55℃~+150℃@(Tj)

店铺:

1001

入驻

合作库存

数量[pcs]

单价[CNY/pcs]

1+

2.7321

10+

2.43726

30+

2.28438

100+

2.14242

500+

1.79298

1000+

1.73838

数量(递增量:1):

库存:

10,000

+-

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最小包装量:

2500 (圆盘)

交付周期:

2-3 工作日

共:

￥2.74

C003151329 AOD5B65MQ1E 由 AOS(美国万代) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-IGBT管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C003151329 AOD5B65MQ1E 参考价格 ￥2.7321，实时库存 10000。TO-252(DPAK) 集射极击穿电压(Vces): 650V, 集电极电流(Ic): 10A, 功率(Pd): 52W, 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic): 2.7V@15V,5A, 栅极电荷(Qg@Ic,Vge): 8.8nC, 开启延迟时间(Td(on)): 7ns, 关断延迟时间(Td(off)): 78ns, 导通损耗(Eon): 0.09mJ, 关断损耗(Eoff): 0.06mJ, 反向恢复时间(Trr): 74ns, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 AOD5B65MQ1E 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。