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NCE2060K

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:NCE(新洁能)
型号:
编号:
封装:TO-252-2(DPAK)
海关编码:EAR99
参数描述:N 沟道,20V,60A,<6mΩ@Vgs=4.5V
数据手册:
规格
Category
MOSFET
Transistor polarity
N沟道
VGS
0.00025A 1V
Rds On
0.006Ω 4.5V 20A
VDS
20V
Pd-Power Dissipation
60W
Package
TO-252-2(DPAK)
Continuous drain current
60A
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
60A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
6mΩ@4.5V,20A
功率(Pd)
60W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
1V@250uA
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
0.69625
10+
0.6427
30+
0.63198
100+
0.59985
数量(递增量:1):
库存:
207,500
最小包装量:
2500 (圆盘)
交付周期:
2-4 工作日
共:
0.70

C003282126 NCE2060K 由 NCE(新洁能) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C003282126 NCE2060K 参考价格 ¥0.6963,实时库存 207500。TO-252-2(DPAK) Transistor polarity: N沟道, VGS: 0.00025A 1V, Rds On: 0.006Ω 4.5V 20A, VDS: 20V, Pd-Power Dissipation: 60W, Package: TO-252-2(DPAK), Continuous drain current: 60A, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 20V, 连续漏极电流(Id): 60A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 6mΩ@4.5V,20A, 功率(Pd): 60W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 1V@250uA。你可以下载 NCE2060K 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。

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