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4N65

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Goodwork(固得沃克)
型号:
编号:
封装:TO-252-2
海关编码:EAR99
参数描述:TO-252-2
数据手册:
规格
Category
MOSFET
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
4A
功率(Pd)
38W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
2.1Ω@10V,2A
阈值电压(Vgs(th)@Id)
4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
14.5nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
425pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)
5.8pF@25V
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
5+
1.07856
50+
0.87218
150+
0.78372
500+
0.67335
2500+
0.60259
5000+
0.57311
数量(递增量:5):
库存:
45,000
最小包装量:
2500 (圆盘)
交付周期:
2-3 工作日
共:
5.40

C003312179 4N65 由 Goodwork(固得沃克) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C003312179 4N65 参考价格 ¥1.0786,实时库存 45000。TO-252-2 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 650V, 连续漏极电流(Id): 4A, 功率(Pd): 38W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2.1Ω@10V,2A, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 4V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 14.5nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 425pF@25V, 反向传输电容(Crss@Vds): 5.8pF@25V。你可以下载 4N65 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。

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