AGM30P08AP

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Mfr.:	AGMSEMI(芯控源)
Mfr. Part #:	AGM30P08AP
YJC. No:	C003365727
Package:	DFN(3x3)
ECCN:	EAR99
Description:	DFN(3x3)
Datasheet:	Datasheet

SPECIFICATION

Category

MOSFET

类型

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

60A

功率(Pd)

50W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

7.2mΩ@10V,15A

阈值电压(Vgs(th)@Id)

1.6V@250uA

栅极电荷(Qg@Vgs)

32nC@10V

输入电容(Ciss@Vds)

2.497nF@30V

工作温度

-55℃~+150℃@(Tj)

Shop:

1001

Settle

Cooperation

QTY[pcs]

Price[CNY/pcs]

5+

1.26079

50+

1.02115

150+

0.91845

500+

0.79033

2500+

0.73327

5000+

0.69904

QTY(Multiplicity:5):

Stock:

5,000

+-

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Quota

Mpq:

5000 (圆盘)

Delivery:

2-3 Business Day

Total:

￥6.31

C003365727 AGM30P08AP 由 AGMSEMI(芯控源) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C003365727 AGM30P08AP 参考价格 ￥1.2608，实时库存 5000。DFN(3x3) 类型: 1个P沟道, 漏源电压(Vdss): 30V, 连续漏极电流(Id): 60A, 功率(Pd): 50W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 7.2mΩ@10V,15A, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 32nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 2.497nF@30V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 AGM30P08AP 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。