AGM312MAP

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Mfr.:	AGMSEMI(芯控源)
Mfr. Part #:	AGM312MAP
YJC. No:	C003543553
Package:	DFN(3x3)
ECCN:	EAR99
Description:	DFN(3x3)
Datasheet:	Datasheet

SPECIFICATION

Category

MOSFET

类型

1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

18A；18A

功率(Pd)

3.6W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

17mΩ@10V,10A；24mΩ@10V,10A

阈值电压(Vgs(th)@Id)

1.5V@250uA

栅极电荷(Qg@Vgs)

4.1nC@4.5V；12nC@10V

输入电容(Ciss@Vds)

345pF@25V

工作温度

-55℃~+150℃@(Tj)

Shop:

1001

Settle

Cooperation

QTY[pcs]

Price[CNY/pcs]

5+

1.20527

50+

0.96998

150+

0.86914

500+

0.74331

2500+

0.68729

5000+

0.65368

QTY(Multiplicity:5):

Stock:

227

+-

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Quota

Mpq:

5000 (圆盘)

Delivery:

2-3 Business Day

Total:

￥6.03

C003543553 AGM312MAP 由 AGMSEMI(芯控源) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C003543553 AGM312MAP 参考价格 ￥1.2053，实时库存 227。DFN(3x3) 类型: 1个N沟道+1个P沟道, 漏源电压(Vdss): 30V, 连续漏极电流(Id): 18A；18A, 功率(Pd): 3.6W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 17mΩ@10V,10A；24mΩ@10V,10A, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 4.1nC@4.5V；12nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 345pF@25V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 AGM312MAP 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。