2N7002

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产商:	Highdiode(海德)
型号:	2N7002
编号:	C003554063
封装:	SOT-23
海关编码:	EAR99
参数描述:	N沟道,60V,115mA,5Ω@10V
数据手册:	数据手册

规格

Category

MOSFET

Pd-Power Dissipation

0.225W

Rds On

5Ω 0.5A 10V

Transistor polarity

N沟道

Continuous drain current

0.115A

VDS

60V

Package

SOT-23

VGS

2.5V 0.00025A

类型

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

115mA

功率(Pd)

225mW

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

5Ω@10V,500mA

阈值电压(Vgs(th)@Id)

2.5V@250uA

店铺:

1001

入驻

合作库存

数量[pcs]

单价[CNY/pcs]

10+

0.11801

100+

0.1045

300+

0.09699

3000+

0.0802

6000+

0.0763

9000+

0.0742

数量(递增量:10):

库存:

21,000

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2-3 工作日

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C003554063 2N7002 由 Highdiode(海德) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C003554063 2N7002 参考价格 ￥0.118，实时库存 21000。SOT-23 Pd-Power Dissipation: 0.225W, Rds On: 5Ω 0.5A 10V, Transistor polarity: N沟道, Continuous drain current: 0.115A, VDS: 60V, Package: SOT-23, VGS: 2.5V 0.00025A, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 60V, 连续漏极电流(Id): 115mA, 功率(Pd): 225mW, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 5Ω@10V,500mA, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA。你可以下载 2N7002 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。